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비정질 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막을 400 ℃에서 700 ℃까지 온도범위에서 각 3분씩 고진공챔버(10<SUP>?8</SUP> torr)에서 열처리하였고, as-grown 시료와 열처리한 시료의 전기적 특성과 자기수송특성을 연구하였다. 성분함량은 energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS)와 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)로 측정하였으며, 박막의 구조분석은 x-ray diffractometer(XRD)와 transmission electron microscopy(TEM)를 이용하였다. 자성특성은 여러 범위의 자기장에서 Magnetic property measure system(MPMS)를 이용하였다. 박막의 전기적 특성은 standard four-point probe와 Physical property measurement system(PPMS)로 측정하였으며, van der Pauw 방법을 사용하여 Anomalous Hall effect를 측정하였다. X-ray 회절 패턴 분석을 통해 500 ℃에서 3분 동안 열처리한 시료는 여전히 비정질 상태인 것을 알 수 있었으며, 600 ℃의 열처리 온도에서 결정화를 확인할 수 있었다. as-grown Ge1 ? xMnx 박막과 열처리한 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막을 온도에 따른 비저항 값의 변화를 측정하였고, 반도체의 특성을 보이는 것을 확인할 수 있었다. 또한 열처리 온도가 높을수록 비저항도 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. 700 ℃에서 열처리한 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막은 저온에서 negative magnetoresistance(MR)을 확인할 수 있었고, MR ratio는 10 K에서 약 8.5 %를 보였다. 모든 MR 그래프에서 curve의 비대칭을 확인 할 수 있었으며, anomalous Hall Effect는 약하지만 250 K까지 관측이 되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 토의
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Y. D. Park / 2002 / / Science 295 : 651 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Stroppa / 2003 / / Physical review B68 : 155203 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S. Cho / 2002 / / Physical review B66 : 033303 ~
4. [학술지(정기간행물)] - N. Pinto / 2003 / / J. Mater. Sci.: Mater. Electrons 14 : 337 ~
5. [학술지(정기간행물)] - Y. J Zhao / 2003 / / Physical review letters 90 : 047204 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Stroppa / 2003 / / Physical review B68 : 155203 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S. Cho / 2002 / / Physical review B66 : 033303 ~
4. [학술지(정기간행물)] - N. Pinto / 2003 / / J. Mater. Sci.: Mater. Electrons 14 : 337 ~
5. [학술지(정기간행물)] - Y. J Zhao / 2003 / / Physical review letters 90 : 047204 ~
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