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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.9
- 수록면
- 95 - 98 (4page)
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We report hole-induced ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor Zn_(0.99)Mn_(0.01)O films grown on SiO₂/Si substrates by reactive sputtering. The p-type conduction with hole concentration over 10^(18) ㎝-³ is achieved by P doping followed by rapid thermal annealing at 800 ℃ in a N₂ atmosphere. The p-type Zn_(0.99)Mn_(0.01)O:P is carefully examined by x-ray diffraction and transmission electron microscopy. The magnetic measurements for p-Zn_(0.99)Mn_(0.01)O:P clearly reveal ferromagnetic characteristics with a Curie temperature above room temperature, whereas those for n-Zn_(0.99)Mn_(0.01)O:P show paramagnetic behavior. The anomalous Hall effect at room temperature is observed for the p-type film. This result strongly supports hole-induced room temperature ferromagnetism in p-Zn_(0.99)Mn_(0.01)O:P.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and Discussion
4. Conclusion
Acknowledgements
References
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