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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 추계학술대회
발행연도
2008.11
수록면
1,963 - 1,966 (4page)

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We fabricate and evaluate the metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor probe with the focused-ionbeam (FIB) for surface electric properties. The probes are designed with the rectangular and V-shaped structures, and their dimensions are determined considering the contact mode operation. The conductive nano tip is grown with FIB system, and deposition condition is controlled for the sharp tip. The fabricated device is applied to the various test patterns like the metal lines and PZT poling regions, and the results show the well defined measurement patterns.
#SPM(주사형 탐침 현미경) #MOS transistor(MOS 트랜지스터) #Nano tip(나노 탐침) #Surface electric property(표면 전기 특성)

목차

Abstract
1. 서론
2. 소자의 설계 및 제작
3. 실험 및 측정 결과
4. 결론
후기
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