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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.7 No.4
- 발행연도
- 2007.12
- 수록면
- 274 - 280 (7page)
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This paper demonstrates an efficiency improvement of the class E power amplifier (PA) by tuning-out the input capacitance (C<SUB>IN</SUB>) of the power HBT with a shunt inductance. In order to obtain high output power, the PA needs the large emitter size of a transistor. The larger the emitter size, the higher the parasitic capacitance. The parasitic CIN affects the distortion of the voltage signal at the base node and changes the duty cycle to decrease the PA's efficiency. Adopting the L-C resonance, we obtain a remarkable efficiency improvement of as much as 7%. This PA exhibits output power of 29 ㏈m and collector efficiency of 71 % at 1.9 ㎓.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PARASITIC CAPACITANCE ANALYSIS OF CLASS E HBT POWER AMPLIFIER
Ⅲ. INPUT SIGNAL ANALYSIS OF CLASS E HBT POWER AMPLIFIER
Ⅳ. PROPOSED CBE COMPENSATION CIRCUIT FOR HIGH EFFICIENCY AND HIGH POWER CLASS E AMPLIFIER
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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