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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.1
발행연도
2008.3
수록면
80 - 84 (5page)

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We systematically investigated the resistive switching properties of thin TiO₂ films on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates that were embedded with a Co ultra thin layer. An in-situ sputtering technique was used to grow both films without breaking the chamber vacuum. A stable bipolar switching in the current-voltage curve was clearly observed in TiO₂ films with an embedded Co ultra thin layer, addressing the high and low resistive state under a bias voltage sweep. We propose that the underlying origin involved in the bipolar switching may be attributed to the interface redox reaction between the Co and TiO₂ layers. The improved reproducible switching properties of our novel structures under forward and reverse bias stresses demonstrated the possibility of future non-volatile memory elements in a simple capacitive-like structure.
#ReRAM #nonvolatile memory #bipolar switching #TiO₂ films with embedded Co ultra thin layer

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S. Lai / 2001 / / Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig : 803 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - G. A. Prinz / 1998 / / Science 282 : 1660 ~ google schola 3. [학술대회논문] - T. Hayashi / 2002 / / Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. : 543 ~ google schola 4. [학술대회논문] - A. Chen / 2005 / / Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. : 746 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Y. Watanabe / 2001 / / Appl. Phys. Lett 78 : 3738 ~ google schola

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