저 전력, 저 잡음, 고속 CMOS LVDS I/O 회로에 대한 비교 분석 및 성능 평가

변영용; 김태웅; 김삼동; 황인석

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자료유형: 학술저널

저자정보: 변영용 김태웅 김삼동 황인석

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SC 電子工學會論文誌第45卷 SC編第2號

발행연도: 2008.3

수록면: 26 - 36 (11page)

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차동 전송 기술과 저 전압 스윙을 기반으로 하는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling)는 저 전력으로 고속 데이터 전송을 필요로 하는 분야에 넓게 사용되어 왔다. 본 논문은 1.3 Gb/s 이상에서 동작하는 새로운 I/O 인터페이스 회로 기술을 소개한다. 기존의 LVDS 수신단에서 사용하는 차동 pre-amp 대신에 sense amplifier를 pre-amp로 사용하는 수신단을 제안하였으며 이러한 수신단은 LVDS 송신단 출력 전압을 상당히 줄이고 1.3 Gb/s 이상의 전송 속도를 제공할 수 있다. 또한 전력소비와 노이즈 특성을 더욱 향상시키기 위하여 종단 저항을 사용하는 대신 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하는 방법을 소개하였다. LVDS 수신단의 pre-amp로 사용하는 differential amp와 sense amp의 입력 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하기 위해 unfolded 임피던스 매칭의 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 LVDS I/O 회로들의 성능 분석 및 평가를 위하여 0.35㎛ TSMCCMOS 테크놀로지를 기본으로 HSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하였으며, 약 12 %의 전력 이득과 약 18 %의 전송 속도 향상을 나타내었다.

#LVDS #Sense amplifier #Differential amplifier #Impedance matching #Inductor

참고문헌 (13)

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W. J. Dally , 1998 , Digital System Engineering , Cambridge University Press

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Y. Konishi , 1999 , Interface Technologies for Memiries and ASICs - Review and Future Direction , IEICE Trans. on Electronics E82-C : 438 ~ 446

Gunjan Mandal , 2004 , Low Power LVDS Transmitter with Low Common mode Variation For 1GB, s-per Pin Operation , ISCAS 1 : 1120 ~ 1123

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