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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.5
- 수록면
- 2,685 - 2,690 (6page)
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Numerical analysis was conducted to simulate the reacting flow and heat transfer on a heated rotating disk during film deposition from silane gas. The effects of inlet and disk temperatures, disk rotation speed, and system pressure on silicondeposition rae were investigated. The inlet and disk temperatures are 300 K and 1000~1250 K, respectively. The range of rotation speed and system pressure covers 0~1000 rpm and 0.1~0.4 atm, respectively.
목차
Abstract
1. 서론
2. 수치해석 방법
3. 결과 및 검토
4. 결론
후기
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