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Recently the process and the property of nano material are widely investigated due to its excellent properties. The controlling of nano-sized grain by heat treatment is investigated. Different sizes of nano- and micro- grains are controlled using different heating schedule during pressurized sintering process or varying the substrate temperatures during electron beam physical vapor deposition. Electron microscopy examination and X-ray diffraction confirms that the nano-size of semiconductor sample, which is respectively heat-treated at 1750℃ and 1550℃ in Ar, is controlled from 30㎚ to 50㎚, and after heat-treatment of 600℃, 700℃, 800℃, 900℃ the grain size of ion-conductor sample is varying with substrate temperature.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
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