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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2007.5
수록면
3,106 - 3,111 (6page)

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The performance of polysilicon thin film transistor (p-Si TFT) has an important role in the operation of active matrix liquid crystal displays. To fabricate the p-Si TFTs that have uniform characteristics, understanding of the recrystallization mechanism of silicon is crucial. Especially, the analysis of the transient temperature variation and the liquid-solid interface motion is required to find the mechanism. The thermal conductivity is one of the most important parameters to understand the mechanism. In this work, a KrF eximer laser beam was irradiated to amorphous silicon thin films. We measured the transient reflectivity at the wavelength of 633 ㎚. We carried out the numerical simulation of one dimension conduction equation so that we determined the most well-fitted thermal conductivity by comparing the numerically obtained transient reflectivity with the experimentally measured one. The experimentally determined thermal conductivity of amorphous silicon thin films is 1.5 W/mK.
#Thermal conductivity(열전달 계수) #Reflectivity(반사율) #Amophous silicon thin films(비정질실리콘박막)

목차

Abstract
1. 서론
2. 수치적 방법
3. 실험장치 및 방법
4. 결과
참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-550-016789406