Picosecond Mid-IR Laser Induced Surface Damage on Gallium Phosphate (GaP) and Calcium Fluoride(CaF₂)

Ho Lee

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자료유형: 학술저널

저자정보: Ho Lee

저널정보: 대한기계학회 Journal of Mechanical Science and Technology Journal of Mechanical Science and Technology Vol.21 No.7

발행연도: 2007.7

수록면: 1,077 - 1,082 (6page)

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Picosecond mid-IR USPL induced surface damage on a Gallium Phosphate (GaP) and Calcium Fluoride (CaF₂) is reported. A semiconductor GaP and a dielectric material CaF₂, that are transparent over 3~10 ㎛, were exposed to one picosecond mid-IR light (4.7 ㎛) to investigate laser-induced surface morphological changes on the target. The initiation of damage along the polishing scratch line of GaP and the random location of damage digs on the CaF₂ suggests that the mid-IR picosecond laser-induced damage on targets started from intrinsic surface defects. Multiple pulse irradiations produced periodic corrugated surface structures (ripples) perpendicular to the polarization of light on both GaP and CaF₂. In terms of the orientation and the spacing between ripples, observed ripples have common features with previously reported ripples.

#Ultra short pulse laser #Laser machining #Incubation effect #Laser-induced ripple

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Akhmanov, S. A., Emel’yanov, V. I., Koroteev, N. I. and Seminogov, V. N., 1985, “Interaction of Powerful Laser Radiation with the Surfaces of Semiconductors and Metals: Nonlinear Optical Effects and Nonlinear Optical Diagnostics,” Soviet physics: Uspekhi,

Ashkenasi, D., Rosenfeld, A., Varel, H., Wahmer, M. and Campbell, E. E. B., 1997, “Laser Processing of Sapphire with Picosecond and Sub-Picosecond Pulses,” Applied Surface Science, Vol. 120, pp. 65~80.

Baurele, D., 2000a, Laser processing and chemistry, Chapter 12, Berlin, Springer.

Baurele, D., 2000b, Laser processing and chemistry, Chapter 21, Berlin, Springer.

Birnbaun, M., 1965, “Semiconductor Surface Damage Produced by Ruby Lasers,” Journal of Applied Physics, Vol. 36, pp. 3688-3689.

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