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전력전자학회 전력전자학회 학술대회 논문집 전력전자학회 창립 10주년 기념 추계학술대회 논문집
발행연도
2006.11
수록면
155 - 157 (3page)

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최근에 전력전자 회로와 시스템에서 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 높은 주파수의 동작에서 좋은 성능과 안전성을 보이기 때문에 많이 사용되어지고 있다. IGBT는 단 방향 소자이기 때문에 다이오드를 역 병렬로 연결하여 사용한다. 프리휠링(Freewheeling) 다이오드가 턴-온 되는 과도상태 동안 IGBT의 스위칭 속도를 제한하는 취약 요소이기 때문에, 본 논문은 IPM(intelligent power module) 동작에서 인덕턴스 부하 시 프리휠링 다이오드에 의해 제약되어지는 특성에 관한 내용 ... 전체 초록 보기

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 다이오드의 역회복 과정의 이해
3. 실험 결과
4. 결론
참고문헌

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