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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第2號
발행연도
2007.2
수록면
13 - 18 (6page)

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본 연구에서는 Lateral DMOS 소자열화 메카니즘이 게이트 산화층의 두께에 따라 다른 것을 측정을 통하여 알 수 있었다. 얇은 산화층 소자는 채널에 생성되는 계면상태와 drift 영역에 포획되는 홀에 의하여 소자가 열화 되고 두꺼운 산화층 소자에서는 채널 영역의 계면상태 생성에 의해서 소자가 열화 되는 것으로 알 수 있었다. 그리고 소자 시뮬레이션을 통하여 다른 열화 메카니즘을 입증할 수 있었다. DC 스트레스에서의 소자 열화와 AC 스트레스에서 소자열화의 비교로부터 AC스트레스에서 소자열화가 적게 되었으며 게이트 펄스의 주파수가 증가할수록 소자열화가 심함을 알 수 있었다. 그 결과로부터 RF LDMOS 에서는 소자열화가 소자설계 및 회로설계에 중요한 변수로 작용할 수 있음을 알 수 있었다.
#lateral DMOS #hot carrier effects #device degradation #interface state generation #hole trapping

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 및 측정
Ⅲ. DC 스트레스에서 소자열화
Ⅳ. AC 스트레스에서 소자열화
Ⅴ. 결론
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