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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.12
- 수록면
- 128 - 131 (4page)
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본 논문에서는 n-channel과 p-channel MuGFET의 핀 수(n<SUB>F</SUB>)가 동일하며 핀 폭(W<SUB>F</SUB>)이 다른 소자들과 유효 채널폭(W<SUB>EFF</SUB>)은 2.8um로 동일하며 핀 수와 핀 폭이 각각 n<SUB>F</SUB>=16, W<SUB>F</SUB>=55nm와 n<SUB>F</SUB>=14, W<SUB>F</SUB>=80nm인 소자의 BTI와 hot-carrier에 의한 소자열화 특성을 비교 분석하였다. 측정 결과 핀 수가 동일할 경우 핀 폭에 따라 소자열화 특성이 다른 경향을 보였는데 BTI 소자열화의 경우 핀 폭이 좁은 소자의 경우가 더 심하였으며, hot-carrier 소자열화의 경우 핀 폭이 넓은 소자의 경우가 더 심하였다. 또한 유효 채널폭이 같은 경우 BTI의 의한 소자 열화는 핀 수가 많고 핀 폭이 좁은 소자의 경우가 더 심하였으며, hot carrier에 의한 소자열화는 두 소자가 비슷한 것을 확인할 수 있었다. 또한 채널 길이가 작은 소자의 경우 고온에서 concurrent effect 영향으로 hot carrier에 의한 소자열화가 BTI에 의한 소자열화보다 심한 것을 확인 할 수 있었다.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 및 측정
Ⅲ. BTI에 의한 소자 열화
Ⅳ. Hot carrier에 의한 소자열화
Ⅴ. 결론
참고문헌
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