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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第43卷 第12號
발행연도
2006.12
수록면
40 - 46 (7page)

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본 연구에서는 GaAs/AlGaAs 구조의 수직 구조 레이저 - 완전 공핍 광 싸이리스터를 제작하여, 광 논리 및 광 스위칭 시스템에 응용할 수 있는, 광 AND- 와 OR- 게이트를 구현하였고, 그 특성을 측정, 분석하였다. 제작된 단일 소자 타입의 광 싸이리스터는 하나의 소자에서 간단한 기준 스위칭 전압의 변화만으로 광 AND 와 OR 게이트를 모두 구현할 수 있다는 장점을 갖는다. 활성층 위, 아래에 1/4 파장 거울층 구조를 채택하고, 선택적 산화공법을 이용하여 0.65 ㎃의 낮은 문턱전류 값을 얻었고, 50 ㏈ 이상의 높은 온/오프 대비를 보였으며, 높은 광 출력 효율과 입력 광 신호에 대한 높은 선택도를 얻을 수 있었다. 제작된 광 싸이리스터는 실험적으로 S자형의 전류-전압 특성곡선을 얻었고, 빛의 세기가 증가함에 따라 스위칭 전압이 5.20 V에서 1.90 V로 현저히 줄어드는 것을 확인하였다.
#광 로직 게이트(Optical Logic gates) #광 네트워크(Optical Network) #수직 구조 레이저(Vertical Cavity Laser) #완전공핍 광 싸이리스터(Depleted Optical Thyristor)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 광 싸이리스터의 동작 원리
Ⅲ. 실험 및 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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