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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제43권 제7호
발행연도
2006.7
수록면
1 - 6 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2006

낮은 문턱 전류를 위한 Vertical Cavity Laser - Depleted Optical Thyristor 의 레이징 특성에 관한 연구
최운경 ,  최영완 전자공학회논문지-SD 2006.07 학술저널

2004

표면 방출 Depleted Optical Thyristor의 레이징 특성에 관한 연구
최운경 ,  김두근 ,  최영완 외 4명 한국통신학회 기타 간행물 2004.11 학술대회자료
1.561 ㎛에서 동작하는 MQW 도파로형 Depleted Optical Thyristor의 레이징 특성 분석
최운경 ,  김두근 ,  최영완 외 3명 전자공학회논문지-SD 2004.01 학술저널

초록· 키워드

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본 연구에서는 광 논리 및 광 접속에 응용할 수 있는 GaAs/AlGaAs 구조의 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor, DOT)에 VCSEL(vertical-cavity surface-emitting laser diode)을 응용하여, 활성층 위, 아래에 1/4 파장 거울층(quarter wavelength reflector stacks)을 제작함으로서 본 구조에서 최초의 레이징 특성을 구현하였고, 그 특성을 측정, 분석하였다. 스위칭 특성을 알아보기 위하여 순방향 전압에서는 비선형 s-자형의 전류-전압 특성을, 역방향 전압에서는 완전 공핍전압을 모의실험으로 알아보았다. 모의실험을 바탕으로 설계, 제작한 VCL-DOT(Vertical Cavity Laser - Depleted Optical Thyristor)의 스위칭 전압과 전류는 5.24 V, 5 ㎂ 이고, 홀딩 전압과 전류는 각각 1.50 V, 100 ㎂ 가 나왔다. 측정된 레이징 문턱 전류는 0.65 ㎃ 이고, 출력 파장은 854.5 ㎚의 레이징 특성을 확인하였다.
#수직 구조 레이져(Vertical Cavity Laser) #완전공핍 광 싸이리스터(Depleted Optical Thyristor) #광 스위칭(Optical Switching)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 결과
Ⅲ. 결론
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