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한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) 한국마린엔지니어링학회지 제30권 제8호
발행연도
2006.11
수록면
927 - 933 (7page)

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The structural and electrical characteristics of PLZT thin films fabricated onto Pt/IrO₂/Ir/Ti/SiO₂/Si substrates by a pulsed laser deposition were investigated to develop the high dielectric thin films for capacitor layer of semiconductor memory devices. The slim region 14/50/50 PLZT thin films were fabricated by PLD and estimated the characteristics for memory application. 14/50/50 PLZT thin films have crystallize into perovskite structure at the 600℃ deposition temperature, 200 mTorr of oxygen pressure, and 2 J/㎠ of laser energy density. In this condition, PLZT thin films had the dielectric constant as high as 985, storage charge density 8.17 μC/㎠ and charging time 0.20 ns. Leakage current density was less than 10-10 A/㎠ up to 5 V bias voltage.
#Dielectric constant(유전율) #Ferroelectric material(강유전체) #Hysteresis loop(이력곡선) #Oxygen pressure(산소압) #Pulsed laser deposition(펄스레이저증착법)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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