마이크로 연소기에서 발생하는 열 소염과 화학 소염 현상 (Ⅰ) : 이온 주입법을 이용한 SiOx(x≤2) 플레이트 제작과 구조 화학적 분석 :이온 주입법을 이용한 SiOx(x≤2) 플레이트 제작과 구조 화학적 분석

김규태; 이대훈; 권세진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김규태 이대훈 권세진

저널정보: 대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제30권 제5호

발행연도: 2006.5

수록면: 397 - 404 (8page)

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Effects of surface defect distribution on flame instability during flame-surface interaction are experimentally investigated. To examine chemical quenching phenomenon which is caused by radical adsorption and recombination processes on the surface, thermally grown silicon oxide plates with well-defined defect density were prepared. Ion implantation technique was used to control the number of defects, i.e. oxygen vacancies. In an attempt to preferentially remove oxygen atoms from silicon dioxide surface, argon ions with low energy level from 3keV to 5keV were irradiated at the incident angle of 60°. Compositional and structural modification of SiO₂ induced by low-energy Ar+ ion irradiation has been characterized by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). It has been found that as the ion energy is increased, the number of structural defect is also increased and non-stoichiometric condition of SiOx(x<2) is enhanced.

#Thermal Quenching(열 소염) #Chemical Quenching(화학 소염) #Oxygen Vacancy(산소 공공) #Ion Implantation(이온 주입법) #AFM(원자 힘 현미경) #XPS(X-선 광전자 분광법)

참고문헌 (30)

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Fernandez-Pello, A. C., 2002, “Micro-Power Generation Using Combustion: Issues and Approaches,” Proc. Combust. Inst., Vol. 29, p. 883.

Jarosinski, J., 1983, “Flame Quenching by a Cold Wall,” Combustion and Flame, Vol. 50, pp. 167~175.

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Westbrook, C. K., Adamczyk, A. A. and Lavoie, G. A., 1981, “A Numerical Study of Laminar Flame Wall Quenching,” Combustion and Flame, Vol. 40, pp. 81~99.

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