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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제17권 제2호(특집호)
발행연도
2006.2
수록면
129 - 133 (5page)

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사전 왜곡형 선형 증폭기는 회로가 간단하고 제작 비용이 적은 장점이 있으나, 상호 변조 왜곡 hump 특성때문에 낮은 출력 전력에서 상호 변조 왜곡 특성이 나빠지는 단점이 있다. 본 논문에서는 출력 전력에 따라 전력 증폭기의 바이어스를 제어하는 방법으로 이와 같은 단점을 개선하였다. AB급 바이어스를 사용한 16 W급 사전 왜곡형 전력 증폭기에 본 논문에서 제안한 방법을 적용한 결과, 넓은 출력 전력 범위에서 약 10 ㏈의 3차 상호변조 왜곡 특성이 개선됨을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 전치 왜곡 선형화기

Ⅲ. Envelope 검출을 이용한 바이어스 제어

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (3)

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[학술지(정기간행물)] - / 1998 / IMD parameters describe LDMOS device performance 37 no. 7 : 69 ~ 74 google schola [학술지(정기간행물)] - / 2005 / Bias control for linearizing class AB amplifiers using envelope detection google schola [학술지(정기간행물)] - / 2000. / High-Linearity RF Amplifier Design google schola

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