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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.3
- 수록면
- 36 - 44 (9page)
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Three topics which are related to technologies for developing of large capacity MRAM over Gbits are reviewed. First, it is stressed that inelastic-electron-tunnel-tunneling spectroscopy (IETS) is a powerfull method to investigate the interface state between magnetic electrodes and insulator. Second, magnetic tunnel junctions with small bias voltage dependence are introduced. Finally, fabrication method of carbon masks for very small magnetic tunnel junctions is demonstrated. These three topics were presented at 47th MMM 2002 conference and each paper will appear in the proceedings.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Interface characterization of magnetic tunnel junctions by using tunneling spectroscopy
3. Magnetic tunnel junctions with high magnetoresistance and small bias voltage dependence using epitaxial NiFe(111) ferromagnetic bottom electrodes
4. Hard mask fabrication for MRAM elements using FIB assisted selective CVD
Acknowledgments
References
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