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Dy_xBi_(3-x)Fe_5O₁₂(x=0.5, 1.0, 1.5, 2.0) 가네트 박막을 sol-gel법의 일종인 Pechini법을 이용하여 Al₂O₃, Gd₃Ga_5O₁₂ (111) 평면에 성장시켰다. 단일 조성의 Dy_xBi_(3-x)Fe_(5)O₁₂ 박막을 얻기 위한 열처리 온도는 기판의 종류에 의존하며, 박막과 같은 구조의 Gd₃Ga_5O₁₂ (111) 기판의 경우 Al₂O₃ 기판을 사용한 경우에 비해 단일 조성을 얻기 위한 열처리 온도가 약 50℃ 감소함을 알 수 있었다. Gd₃Ga_5O₁₂ (111) 기판 위에 성장된 가네트 박막의 낟알들은 대부분 기판과 같은 [111] 방향으로 정렬하며, 이 경우 박막의 자기 이력 곡선은 5000 Oe 이상에서도 포화 자기화에 도달하지 못하는 것으로 확인되었다. 이러한 현상의 원인으로 회전자기화 과정 (rotation magnetization process)에 의한 것으로 추정하였다. Pechini 법으로 성장시킨 Dy_xBi_(3-x)Fe_5O₁₂ 박막에서 단위세포 당 최대 Bi 이온의 양은 2.0 이하임을 처음으로 확인하였고, 이는 LPE 법에 의해 성장된 단결정 가네트의 경우에 알려진 최대 Bi 이온의 양 2.3보다 작은 값이다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 결과
Ⅲ. 결론
참고문헌
Abstract
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