청색 발광 다이오드에서 활성층의 균일성과 신뢰성 사이의 상관관계 고찰

장진원; 김상배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 장진원 김상배

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제12호

발행연도: 2005.12

수록면: 27 - 34 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

청색 발광 다이오드에서 활성층의 균일성과 신뢰성 사이의 상관관계 고찰

장진원 , 김상배 전자공학회논문지-SD 2005.12 학술저널

2004

청색 발광다이오드에서 활성층의 균일성과 신뢰성 사이의 상관관계 고찰

장진원 , 김상배 한국통신학회 기타 간행물 2004.11 학술대회자료

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활성층의 균일성 차이에 따라 서로 다른 발광특성을 보이는 소자들의 균일성과 신뢰도 사이의 상관관계를 고찰하였다. 소자들을 초기 특성에 따라 균일한 발광특성을 보이는 그룹 I과 불균일한 발광특성을 보이는 그룹 II로 분류하였다. 그룹 II 소자의 경우 온도 의존성이 더 큰 것으로 나타났으며, 두 그룹의 신뢰성 실험을 통해 크게 두 가지 성능저하 과정이 있는 것을 알았다. 칩 전체적으로 균일하게 성능저하 되는 bulk 성능저하 과정과 칩의 edge부분에서부터 성능저하가 시작되는 edge 성능저하 과정이다. 비발광성 결함에 의한 bulk 성능저하는 불균일한 발광특성을 보이는 그룹 II 소자에서 더 빠르게 진행되었다. edge 성능저하는 그룹 I, II 소자에 관계없이 고전류로 aging하였을 경우 나타났으며, n-Ohmic 접촉 영역에서 시작하여 발광하지 않는 부분이 확장되는 성능저하 과정을 확인하였다. 이에 따라 고효율, 고신뢰도 청색 발광 다이오드 제작을 위해서는 활성층의 균일도를 높이고, 전류 밀도를 균일하게 하며, 건식 식각된 mesa면의 passivation을 하여야 한다.

참고문헌 (9)

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[학술지(정기간행물)] - S. D. Lester / / High Dislocation Densities in High Efficiency GaN-based Light-Emitting Diodes 66 : 1249 ~ 1251

[학술지(정기간행물)] - T. Mukai / jul.1999. / Characteristics of InGaN-Based UV/Blue/Green /Amber/Red Light-Emitting Diodes 38 : 3976 ~ 3981

[학술지(정기간행물)] - T. Azuhata / Dec.1996. / Spontaneous Emission of Localized Excitons in InGaN Single and Multiquantum Well Structures 69 : 4188 ~ 4190

[학술지(정기간행물)] - T. Azuhata / May1997. / Luminescence from Localized States in InGaN Epilayers 70 : 2822 ~ 2824

[학술지(정기간행물)] - Y. Narukawa / Jan.1997. / Recombination Dynamics of Localized Excitons in In0.20Ga0.80N-In0.05Ga0.95N Multiple Quantum Wells 55 : 1938 ~ 1941

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