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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1990.5
- 수록면
- 19 - 24 (6page)
이용수
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n-p InP homojunction solar cells were fabricated by thermal diffusion of sulfur in high doped p-InP wafer((100) LEC grown Zn doped p=4×10 ㎤), and SiO film(600Å thick)was coated on the n-layer by an e-beam(evaporator as an antireflection(AR) coating. The total areas of the cells were 5×5×0.3㎣. The front contact grids(16 finger pattern, 20㎛ width, 200㎛ space) was formed by photolithography technique.
On the result of SEM mesurement, we found that the diffusion depths of sulfur were very shallow (＜0.5㎛). We found on the fabricated solar cells that, with increasing the diffusion time, short circuit current densities were decresed, series resistances were incresed and conversion efficiencies were incresed.
On the result of the spectral responses of the cells, we found the best response in the region of 6,000 - 7,000Å. The energy conversion efficiency, the short circuit current density, the open circuit voltage and the fill factor of the cell were 10,1%, 13.16㎃/㎝A², 0.38V, 53.74%, respectively.
On the result of SEM mesurement, we found that the diffusion depths of sulfur were very shallow (＜0.5㎛). We found on the fabricated solar cells that, with increasing the diffusion time, short circuit current densities were decresed, series resistances were incresed and conversion efficiencies were incresed.
On the result of the spectral responses of the cells, we found the best response in the region of 6,000 - 7,000Å. The energy conversion efficiency, the short circuit current density, the open circuit voltage and the fill factor of the cell were 10,1%, 13.16㎃/㎝A², 0.38V, 53.74%, respectively.
목차
1. Summary
2. 내용
3. 결과 및 논의
4. 결론
REFERENCE
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