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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 태양에너지 제10권 제3호
발행연도
1990.12
수록면
60 - 65 (6page)

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p+형의 InP 기판(p=4×l0^(18)cm-³)에 일정 온도에서 S를 열 확산시켜 n+-p+ 접합을 형성하고, n+형 측에 사진식각법으로 폭 20㎛의 표면 격자상 전극을 300㎛ 간격으로 형성한 후, 반사방지 (AR) 막으로 600A˚ 두께의 SiO 박막을 증착시켜 크기 5×5×0.3㎣의 n+-p+ InP 동종접합 태양전지를 제작하였다.
S의 접합깊이는 약 0.4㎛이었으며, 제작된 태양전지는 확산시간이 증가함에 따라 단락전류 (J_(sc))가 증가하였고, 충진율(F.F)이 감소하였으며, 직렬저항 (R_s)과 에너지 변환효율 (Π)이 증가하는 경향을 나타냈다.
5,000-9,000A˚의 파장 영역에서 양호한 분광감도 특성을 나타냈으며, 단락전류, 개방전압 (V_(oc)), 충진율, 에너지 변환효율이 각각 13.16mA/㎠, 0.38V, 53.74%, 10.1%인 태양전지를 제작하였다.

목차

요약

ABSTRACT

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 논의

4. 결론

REFERENCE

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