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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국분석과학회 분석과학 분석과학 제8권 제4호
발행연도
1995.12
수록면
637 - 642 (6page)

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The presence of a porous Si layer(PSL) formed on the surface of crystalline silicon by elcctrochemical etclling in HF solution is found to enhance the stability of n-Si photoanodes, but porous n-Si thus formed is still liable to corrode upon exposure to excitation light. To improve the stability of the porous n-Si electrodes and to reduce the photo-induced corrosion, we have examined the PEC behavior of porous n-Si modified with polyanilinc(PANI) and 3 ㎚ thick layer of Au. Comparisons were made between Au/PSL and PANl/Au/PSL photoclectrodes.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experimental

3. Results and Discussion

Acknowledgment

References

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