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논문 기본 정보
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- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.5 No.3
- 발행연도
- 2005.9
- 수록면
- 187 - 194 (8page)
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An analysis of the 1/f or flicker noise in FD n-channel Double Gate SOI MOSFET is proposed. In this paper, the variation of power spectral density (PSD) of the equivalent noise voltage and noise current with respect to frequency, channel length and gate-tosource voltage at various temperatures and exponent C(i.e 1/f^c) is reported. The temperature is varied 125 K from to room temperature. The variation of PSD with respect to channel length down to 0.1 μm technology is considered. It is analyzed that 1/f noise in FD n-channel Double Gate SOI MOSFET is due to both carrierdensity fluctuations and mobility-fluctuations. But controversy still exits to its origin.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Theoretical Considerations
Ⅲ. Results and Discussions
References
저자소개
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