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논문 기본 정보

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한국분석과학회 분석과학 분석과학 제5권 제2호
발행연도
1992.6
수록면
213 - 216 (4page)

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저압식 LEC(LPLEC)법으로 성장시킨 고순도의 갈륨비소 단결정내에는 탄소 등의 불순물의 유입량이 10^(15)㎝-³ 이하로 매우 작아지게 되므로 이 경우 SI(Semi-insulating) 성질을 가진 단결정을 제조하기 위해서는 melt 중의 As분율을 낮추어 주어야 한다. 이 경우 큰 비저항을 가지는 이유는 E12와 탄소간의 compensation 이외에도 native defect인 H1(Ev+77meV, Ev+200 meV)의 double charge acceptor와 H2(Ev+68meV)의 기여도 동시에 고려해야 한다. 통계적인 기법으로 compensation 기구를 분석하면 SI GaAs는 탄소량이 10^(15)㎝-³ 이하일 때 melt의 조성이 0.45 근처로 유지하면 제조가 가능하다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

5. 후기

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