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논문 기본 정보

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한국분석과학회 분석과학 분석과학 제5권 제4호
발행연도
1992.12
수록면
359 - 366 (8page)

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본 논문은 마이크로 Raman 분광분석법을 이용하여 국부적 열산화 후 실리콘 표면에 유입되는 스트레스를 평가한 것이다. 국부적 열산화 후 실리콘 표면에 유입되는 스트레스는 실리콘 산화막과 active 영역의 경계 부분에서 최대치를 나타내었다. Active 영역의 크기가 작아질수록 스트레스량은 증가하며, 이는 스트레스가 active 영역의 크기에 의존함을 보여 주는 것이다. 또한, active 영역이 0.45㎛인 세 가지 소자 분리 공정, A,B, moB를 평가한 결과 moB 공정의 스트레스 값이 가장 작았으며, 새부리 효과도 가장 작았다.

목차

요 약

Abstract

1. 서 론

2. 실 험

3. 결과 및 고찰

4. 결 론

인용문헌

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