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철강 제조 과정에서 생성되는 두 종류의 규산질 슬래그인 고로 슬래그와 전로 슬래그의 구조를 조사하기 위하여 적외선 분광법과 X-선 광전자 분광법을 사용하였다. 두 슬래그의 적외선 스펙트럼을 비교한 결과, 염기도가 큰 전로 슬래그의 경우에 Si-O 결합의 수축진동에 해당하는 흡수띠의 위치가 상당히 낮은 파수 쪽으로 이동하였다. 이러한 결과는 염기도가 커짐에 따라 더욱 많은 염기성 산화물이 Si-O-Si 결합을 파괴하여 Si-O 결합을 형성하여 단위 Si 원자당 O-의 수가 증가함을 의미한다. 한편 Si-O-Si, 즉 Si 사이에 존재하는 산소와 Si-O-, 즉 Si와 한쪽에만 결함된 산소의 상대적 비율을 X-선 광전자 분광법을 이용하여 조사하였는데 고로 슬래그의 경우, O-와 O의 비율은 1,6으로 나타났고 전로 슬래그의 경우는 3.6으로 나타났다.
목차
ABSTRACT
요 약
INTRODUCTION
EXPERIMENTAL
RESULTS AND DISCUSSION
CONCLUSION
REFERENCES
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