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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제14회 학술발표회논문개요집
발행연도
1998.2
수록면
121 - 122 (2page)

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Raman 분광학을 이용하여 질화된 GaAs 박막의 특성을 조사하였다. GaAs 질화 과정은 상온에서부터 600℃까지의 여러 가지 온도에서 ECR (electron cyclotron resonance) 질소 플라즈마를 조사함으로써 시료를 준비하였다. Raman 측정의 결과 온도가 증가함에 따라 세로 광학(LO) 포논 및 가로 광학(TO) 포논모드의 진동수는 낮은 진동수로 이동하였고, 또한 LO-TO 분리 크기 역시 감소하 ... 전체 초록 보기

목차

초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

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