Si(5 5 12)에 존재하는 안정된 Si(6 9 17) Facet의 구조

주영철 ,  조상희 ,  전무현 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .06

In-situ magnetization measurements and ex-situ morphological analysis of electrodeposited cobalt onto chemical vapor deposition graphene/SiO₂/Si

F ,  anco ,  Vinicius C. De 외 10명

Carbon letters

2017 .01

Periodic Nanoscale Structures for High-performing Si Photovoltaics

김준동

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .08

First - principles study of the Br / Si(100) surface

Ji Young Lee ,  Myung-Ho Kang

한국진공학회 학술발표회초록집

2003 .02

Metal nanowires formed on high - index Si surfaces : Bi / Si(5 5 12) vs Ag/ Si(5 5 12)

S. H. Cho ,  J. M. Seo

한국진공학회 학술발표회초록집

2004 .08

The atomic structure of high - index Si surfaces : Si(5 5 12) and its potential applications

Jae Myung Seo

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .07

A first principles study on magnetism of Fe3Si on Si(001) and Si(111) substrates

Do ,  j Odkhuu ,  Won Seok Yun 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Two kinds of defects existing on Si(5 5 12)-2×1

Ganbat Duvji ,  Hidong Kim ,  Otgonbaya 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

승온시 Si₂H6 가스 주입을 이용한 표면 SiO₂의 억제 및 비정질 Si의 고상 에피텍시에 관한 연구

최태희 ,  남승의 ,  김형준

Applied Science and Convergence Technology

1996 .09

Analysis of Si-, O- and H- bonding effect at Si-SiO₂ interface for c-Si surface passivation quality by thermal oxidation

Jiyoon KANG ,  Minhan JEON ,  Donghyun OH 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Structural Properties of Si(113) surface

황찬국 ,  김학수 ,  김용기 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

1999 .07

Origin of transformation between saw-tooth-like facet and smoothly-bending facet on Si(5 5 12)-2×1

주영철 ,  김희동 ,  서재명

한국진공학회 학술발표회초록집

2006 .02

Origin of the wide Si(7 7 17) domain parasitic on Si(5 5 12) surface

S.H. Cho ,  W. X. Quan ,  Y.Z. Zhu 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .07

Si - O - C - H 저유전율 박막의 특성 연구 Study of Low - k Si - O - C - H Thin Films

김윤해 ,  이석규 ,  김형준

한국진공학회 학술발표회초록집

1999 .07

Can the S-K growth mode be applied to the flat high - index Si surfaces? : Ge / Si(5 5 12)

리혜정 ,  강영화 ,  김희동 외 1명

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2005 .02

Direct determination of surface stress during Ge growth on Si(111)

Hidehito Asaoka

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2008 .02

Atomic structure of Si(337)-4×1 induced by C incorporation into Si(5 5 12)-2×1

Hidong Kim ,  Otgonbaya ,  Duge 외 4명

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2009 .02

The formation of OH and NH₂terminated Si(001) surface using chlorinated Si(001) 2x1 surface

백재윤 ,  이선숙 ,  오진호 외 3명

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2004 .02

실리콘 결정의 수소 흡수 : Si(100) vs. Si(111)

정민복 ,  조삼근

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02