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이용수
1. Introduction
2. Homoepitaxial Growth of Ge / Ge(111). Ge / Ag / Ge(111). Ge / Sn / Ge(111). Ge / Pb / Ge(111)
3. Structures and Composition During Epitaxial Growth of InSb / Si(100)
4. SEM Images of Surface Structures of Au / Si(111) and Ag / Si(111)
5. Current Research Activities in Surface Physics in Japan, “Epitaxy : Fundamental Process and Application to the New Materials“
References
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Low - temperature silicon epitaxy by UHV - CVD
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2004 .02
Mg / Si(113)系의 再구조에 대한 RHEED 연구
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1997 .02
RHEED장치의 제작과 K, Cs / Si(111)계에 관한 연구
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1992 .02
Mg이 흡착된 Si(111)7×7표면에 관한 RHEED연구
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1993 .02
DEVELOPMENT OF DIGITAL IMAGE ANALYSIS SYSTEM FOR LEED AND RHEED
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1993 .07
UHV 시스템 및 FED Test 장비
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1996 .02
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2009 .02
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UHV Scanning Tunneling Microscope
진공이야기
2016 .03
Generation of UHV with a dry turbo- and backing pump combination
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RHEED 장치의 제작과 K, Cs / Si(111) 계에 관한 연구
Applied Science and Convergence Technology
1992 .02
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1994 .06
Surface structural analysis using nano-electron-beam weissenberg RHEED
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C.C.D Camera를 이용한 RHEED Intersity Oscillation 측정
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1994 .02
RHEED에 의한 Ag, In, Pb / Si(111)의 표면구조에 있어서의 수소원자의 흡착연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1992 .02
XPS Study of Ionic Liquid Solutions in UHV
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2006 .08
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