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Korean Institute of Information Scientists and Engineers 한국정보과학회 학술발표논문집 한국정보과학회 1991년도 가을 학술발표논문집 제18권 제2호
발행연도
1990.10
수록면
715 - 718 (4page)

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현재까지 가장 많이 사용되고 있는 ITIC 셀의 메모리 밀도가 중가시에 현재의 ITIC구조로는 photolithographic개선과 processing technolog개선에 한계가 있고 단지 2차원 구조로서 squeezing시키는 것 뿐이므로 셀을 고밀도화시키는데 한계가 있다.
따라서 본 연구에서는 3차원 구조로서 Scaling에 중점을 두어 신호를 입어내는데 제한 조건의 해결 및 soft-error 방지 그리고 밀도가 증가할시에 scaling을 감소시킬 수 있는 새로운 셀 구조를 제시하고 그 타당성을 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.

목차

요약

Ⅰ. 서론

Ⅱ. DRAM의 기본구조 및 동작

Ⅲ. 전류감지 방식의 DRAM 셀 구조

Ⅳ. 시뮬레이션 및 고찰

Ⅴ. 결론

참고문헌

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