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저널정보
Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.4
발행연도
1998.8
수록면
515 - 520 (6page)

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In this paper, comparative DC and high frequency characteristics of Npn-Al_(0.3)Ga(0.7)As/GaAs heterojunction bipolar transistors grown at two different substrate temperatures (T_s=580℃ and 515℃) with three different base dopings (N_A=5×10^(18), 1×10^(19), and 5×10^(19)㎝-³) by a gas source molecular beam epitaxy system are reported. The highest DC current gain was obtained from the sample with the lowest doping grown at T_s=580℃, while the highest fr and f_(max) were obtained from the highest doping grown at T_s=515℃. The shortest base transit time was also obtained from the highest doping grown at T_s=515℃, and shows additional high-frequency performance improvement in fr and f_(max) due to shorter base transit time with extremely heavily doped base HBT's above N_A=1×10^(19) ㎝-³, We also found that the growth temperature T_s=515℃ is more appropriate than T_s=580℃ for high speed and high current gain GaAs-based HBT's with extremely heavy base doping for reduced base resistance in order to prevent substantial reduction of the lifetime and unintentional expansion of base width due to outdiffusion of p-type dopant (Be).

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Epitaxial Growth and Device Fabrication

Ⅲ. Experimental Results and Discussion

Ⅳ. Conclusion

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