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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.1
- 발행연도
- 1998.2
- 수록면
- 80 - 85 (6page)
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A theoretical calculation and an optical measurement method of normal-incidence absorption are proposed. By using a waveguide structure, optical interference and the problem of low level signal can be avoided in the measurement of normal-incidence absorption. The oscillator strength of intersubband absorption for a waveguide structure is calculated in Si(001), Si(110), and Ge(001) quantum wells. The polarization angle dependence of the measured and the calculated absorption strength can be obtained with the same waveguide structure, and be compared after normalization. The normal-incidence absorption in Si(110) and Ge(001) quantum wells is shown theoretically, and can be observed in the optical measurement using waveguide structures at the polarization angle of 900˚.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Oscillator Strength
Ⅲ. Normal-Incidence Absorption
Ⅳ. Waveguide Structure
Ⅴ. Summary
References
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