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한국기계가공학회 한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집 한국기계가공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2003.5
수록면
179 - 182 (4page)

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As the ultra precision grinding can be applied to wafering process by the refinement of the abrasive, the development of high stiffness equipment and grinding skill, the conventional wafering process which consists of lapping, etching, 1st, 2nd and 3rd polishing could be exchanged to the new process which consists of precision surface grinding, final polishing and post cleaning Especially, the ultra precision grinding of wafer improves the flatness of wafer and the efficiency of production However, Ground silicon wafer has grinding damage that is even more serious than these of other process - polishing and lapping Moreover, it is expected to be distributed non-uniformly because of the charateristic of In-feed grinding process and mono-crystalline silicon wafer that has diamond cubic crystal Therefore, in order to define amount of the removal in post-process, it is necessay to analyse grinding damage correctly as much as to develope the process So this paper focused on grinding damage distribution according to direction of the radius and crystallization in ground silicon wafer

목차

Abstract

1. 서론

2. In-feed 연삭 공정의 기구학적 해석

3. In-feed 연삭의 동역학적 해석

4. 결론

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