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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제41권 제10호
발행연도
2004.10
수록면
109 - 117 (9page)

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본 논문에서 VCDRO, GaAs MESFET, 반사기 등을 이용하여 주파수 체배기 형태로 구성한 K-대역 국부발진기를 설계하고 제작하여 특성을 실험하였다. VCDRO은 위상잡음 특성을 개선하기 위하여 저잡음 특성을 가지며 플리커 잡음이 적은 MESFET를 선택하였으며 Q값이 큰 유전체 공진기를 사용하여 선택도를 높였다. 특히, 제안된 주파수 체배기는 반사기와 대역저지필터를 사용함으로써, 일반적인 체배기에 비해 회로의 크기를 줄이고, 고조파 억압특성을 개선했을 뿐만 아니라 더 좋은 변환이득을 얻었다. 제작된 VCDRO의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 12.O5㎓에서 5.08dBm의 출력 전력과 -37.98 dBc의 고조파 억압, 100 ㎑ offest 주파수에서 -114 dBc의 위상잡음 특성을 얻을 수 있었으먼, 주파수 체배기의 특성을 측정한 결과, 5.8 dBm의 입력신호에 대해 출력 주파수인 24.10 ㎓에서 출력 전력은 1.755 dBm이고, 변환이득은 1.482 dB, 고조파 억압은 -33.09 dBc, 100 ㎑ offset 주파수에서 -98.23dBc의 위상잡음 특성을 얻었다. 주파수 체배 기법을 이용하여 제작된 발진기는 K-대역에서 국부발진기로 이용될 수 있음을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 국부발진기 이론 및 시뮬레이션

Ⅲ. 국부발진기 제작 및 측정결과

Ⅳ. 결론

참고문헌

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