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한국자동차공학회 한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집 한국자동차공학회 2004년 추계학술대회논문집 Vol.Ⅰ
발행연도
2004.10
수록면
484 - 489 (6page)

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Effects of thermal contact resistance between heater and susceptor, susceptor and graphite board in a MOCYD reactor on temperature distribution and film growth rate were analyzed. One-dimensional thermal resistance model considering thermal contact resistance and heat transfer area was made up at first. This one-dimensional model predicted the temperature drop of 18K at the board surface. Temperature distribution from the three-dimensional computational fluid dynamics analysis including the gap at the wafer position showed the temperature drop of 20K. Temperature drop due to the thermal contact resistance affected to the GaAs film growth but not to the InP film growth.

목차

Abstract

1.서론

2.해석

3.결과 및 고찰

4.결론

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