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전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제3권 제4호
발행연도
1998.12
수록면
426 - 436 (11page)

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Ident1ficatlOn of fault current during the operation of a power senmiconductor switch and activation of suitable remedial actions are Important for rehable operation of power converters A short circuit is a basic and severe fault situation in a circuit structure such as voltage source converters This paper presents a new active protection circuit for fast and precise clamping and safe shutdown of fault currents of the IGBTs This circuit allows operation of the IGBTs with a higher on-state gate voltage, which can thereby reduce the conduction loss In the device without compromising the short circuit protection characteristics The operation of the circuit is studied under various conditions, considering variation of temperature, rising rate of fault current, gate voltage value, and protection circuit parameters An evaluation of the operation of the circuit is made using IGBTs from different manufacturers to confirm the effectiveness of the protection circuit

목차

ABSTRACT

1.Introduction

2.Operation Characteristics of the Proposed Active Protection Circuit

3.Experimental Evaluation

4.Conclusion

References

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