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대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제26권 제10호
발행연도
2002.10
수록면
1,427 - 1,435 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2005

펄스 레이저가 입사된 실리콘 박막내의 광학 및 열전달 특성
이성혁 ,  강관구 ,  이준식 외 3명 대한기계학회 춘추학술대회 2005.05 학술대회자료

2002

펨토초급 극초단 펄스레이저에 의해 가열된 실리콘 내의 열전달 특성에 관한 수치해석
이성혁 ,  이준식 ,  박승호 외 1명 대한기계학회 논문집 B권 2002.10 학술저널
펨토초급 극초단 펄스 레이저에 의해 가열된 실리콘 내의 열전달 특성에 관한 수치해석
이성혁 ,  이준식 ,  박승호 외 1명 대한기계학회 춘추학술대회 2002.05 학술대회자료

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The main aim of the present article is numerically to investigate the micro-scale heat transfer phenomena in a silicon microstructure irradiated by picosecond-to-femtosecond ultra-short laser pulses. Carrier-lattice non-equilibrium phenomena are simulated with a self-consistent numerical model based on Boltzmann transport theory to obtain the spatial and temporal evolutions of the lattice temperature, the carrier number density and its temperature. Especially, an equilibration time, after which carrier and lattice are in equilibrium, is newly introduced to quantify the time duration of non-equilibrium state. Significant increase in carrier temperature is observed for a few picosecond pulse laser, while the lattice temperature rise is relatively small with decreasing laser pulse width. It is also found that the laser flue nee significantly affects the N ³ decaying rate of Auger recombination, the carrier temperature exhibits two peaks as a function of time due to Auger heating as well as direct laser heating of the carriers, and finally both laser fluence and pulse width play an important role in controlling the duration time of non-equilibrium between carrier and lattice.

목차

Abstract

1.서론

2.지배 방정식

3.수치해석법 및 해석 조건

4.결과 및 고찰

5.결론

후기

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