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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 204 - 209 (6page)
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The analyses on self-heating effect in 7 nm node non-rectangular Bulk FinFET device were performed using 3D device simulation with consideration to contact via and pad. From selfheating effect simulation, the position where the maximum lattice temperature occurs in Bulk FinFET device was investigated. Through the comparison of thermal resistance at each node, main heat transfer path in Bulk FinFET device can be determined. Selfheating effect with device parameter and operation temperature was also analyzed and compared. In addition, the impact of interconnects which are connected between the device on self-heating effect was investigated.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION SET-UP
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
Mayank Shrivastava, Manish Agrawal, Sunny Mahajan, Harald Gossner, Thomas Schulz, Dinesh Kumar Sharma, and V. Ramgopal Rao, “Physical Insight Toward Heat Transport and an Improved Electrothermal Modeling Framework for FinFET Architectures”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 59, pp. 1353-1363, 2012.
K. E. Goodson and P. Eric, “Thermal phenomena in nanoscale transistors,” in Proc. Conf. Thermal Thermo Mech. Phenom. Electron. Syst., 2004, pp. 1–7.
Yang-Kyu Choi, Nick Lindert, Peiqi Xuan, Stephen Tang, Daewon Ha, Erik Anderson, Tsu-Jae King, Jeffrey Bokor, and Chenming Hu, “Sub-20 nm CMOS FinFET Technologies”, IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), pp. 421-424, 2001.
C.C. Wu et al., “High Performance 22/20nm FinFET CMOS Devices with Advanced High- K/Metal Gate Scheme”, IEEE IEDM Tech. Dig., pp. 600-603, 2010.
W. Molzer, Th. Schulz, W. Xiong, R. C. Cleavelin, K. Schrüfer, A. Marshall, K. Matthews, J. Sedlmeir, D. Siprak, G. Knoblinger, L. Bertolissi, P. Patruno, and J.-P. Colinge, “Self-Heating Simulation of Multi-Gate FETs”, Proceeding of European Solid- State Device Conference, pp. 311-314, 2006.
K. E. Goodson and P. Eric, “Thermal phenomena in nanoscale transistors,” in Proc. Conf. Thermal Thermo Mech. Phenom. Electron. Syst., 2004, pp. 1–7.
Yang-Kyu Choi, Nick Lindert, Peiqi Xuan, Stephen Tang, Daewon Ha, Erik Anderson, Tsu-Jae King, Jeffrey Bokor, and Chenming Hu, “Sub-20 nm CMOS FinFET Technologies”, IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), pp. 421-424, 2001.
C.C. Wu et al., “High Performance 22/20nm FinFET CMOS Devices with Advanced High- K/Metal Gate Scheme”, IEEE IEDM Tech. Dig., pp. 600-603, 2010.
W. Molzer, Th. Schulz, W. Xiong, R. C. Cleavelin, K. Schrüfer, A. Marshall, K. Matthews, J. Sedlmeir, D. Siprak, G. Knoblinger, L. Bertolissi, P. Patruno, and J.-P. Colinge, “Self-Heating Simulation of Multi-Gate FETs”, Proceeding of European Solid- State Device Conference, pp. 311-314, 2006.
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