지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.1
- 수록면
- 83 - 88 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
HFET 소자의 선형성과 게이트-트레인 항복특성을 향상시키기 위해 부분채널 도핑된 Al0.25Ga0.75As/ In0.25 Ga0.75As/Al0.25Ga0.75As 이종접합 구조를 갖는 FET를 제안하였다. 제안된 HFET는 게이트 전극 아래로 도핑되지 않은 AlGaAs 진성공급층을 두어 -20V 의 높은 항복전압을 얻었다. 또한 소자의 InGaAs 채널에 부분 도핑을 실시하여, 균일 채널 도핑을 실시한 경우보다 향상된 선형성을 유도하였고, 2차원 전산모사 견과와 제작 및 측정결과를 통해 선형성의 향상을 확인하였다. 본 실험에서 제안된 HFET소자는 DC측정 결과와 고주파측정 결과 모두에서 기존의 FET소자들에 비해 향상된 선형성을 나타내었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험결과 및 논의
Ⅲ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
이중이종접합을 이용한 채널도핑된 GaAs계 전력FET의 선형성 증가
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
-
GaAs FET의 비선형 채널전류 모형에 관한 연구 ( A microwave model for the nonlinear channel current of GaAs FET )
한국통신학회 학술대회논문집
1994 .01
-
GaAs FET의 비선형 채널전류 모형에 관한 연구 ( A Microwave Model for the Nonlinear Channel Current of GaAs FET )
대한전자공학회 학술대회
1994 .10
-
높은 항복전압(>1,000 V)을 가지는 Circular β-Ga2O3 MOSFETs의 특성
전기전자재료학회논문지
2020 .01
-
비선형 회로 시뮬레이션을 위한 개선된 GaAs FET 모델 ( An Improved GaAs FET Model for Nonlinear Simulation )
대한전자공학회 학술대회
1993 .10
-
MOCVD에 의한 Delta-Doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Delta-Doped FET by MOCVD )
전자공학회논문지-A
1991 .08
-
FET형 요소 감지 소자
대한전기학회 학술대회 논문집
1987 .07
-
FET 형 요소 감지 소자 ( FET Type Urea Sensor )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
-
부동 전자 채널을 가진 GaAs FET ( A GaAs Floated Electron Channel FET ( FECFET ) )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
-
이차원 전위분포모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 항복전압 분석
한국정보통신학회논문지
2013 .05
-
ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_{2}(In{1-x}M_{2})_{2}O_{3}$ (M Ga, Al)
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_2{(In_{1-x}M_{x})}_2O_{5}$(M=Ga, Al)
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
비선형 모델을 이용한 GaAs FET 주파수 체배기 설계 및 제작
한국통신학회 학술대회논문집
1993 .11
-
비선형 모델을 이용한 GaAs FET 주파수 체배기 설계 및 제작 ( A Study on the Design and Implementation of Frequency multiplier Using GaAs FET Nonlinear model )
한국통신학회 학술대회논문집
1993 .01
-
π-HFET ( P-type Insulated Gate Heterostructure FET ) 의 제작과 특성 측정 ( Fabrication and Characterization of π-HFET )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
-
고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법
전기전자재료학회논문지
2009 .01
-
10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계
한국정보통신학회논문지
2017 .06
-
AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성
대한전자공학회 학술대회
2000 .11
-
Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
-
The effect of dielectrics on the device performance of FET
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2006 .10
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-013728608