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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제39권 제3호
발행연도
2002.9
수록면
8 - 14 (7page)

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본 연구는 고분자 재료의 표면열화 발생 및 진행경로를 해석하기 위한 일환으로 열, 자외선 및 방전에 의한 열화를 각각 임의로 모의하여 접촉각 특성을 측정하여 열화 발생메커니즘을 해석하였으며, 특히 기존의 열화 연구와 달리 화학적 측면과 정전적 측면을 연계시킨 상관적 특성분석을 수행하였다. 표면활성화 상태를 측정한 접촉각 변화에 있어서, 일반적인 고분자의 표면은 73°~91°의 약소수성을 나타낸다. 그러나, 방전처리 및 350 ㎚ 이하의 자외선 파장에 노출된 표면은 13.8° 및 20°로 급격한 친수화를 나타내었고, 열처리 및 430~500㎚ 파장의 가시광 파장에 노출된 표면은 90°와 80.1°의 최대 접촉각 상승을 보이며 소수화를 나타냈다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결론

참고문헌

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