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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제12호
발행연도
2002.12
수록면
22 - 32 (11page)

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테스트와 동시에 오류 비트의 수와 위치를 파악하도록 하여 redundancy 프로그래밍이 용이한 다수 비트 출력 DRAM을 위한 BIST 구조가 소개되었다. 일반적으로, DRAM 셀이 n개의 블록으로 구성된 경우에, 단지 n개의 비교기와 한 개의 3가지 상태 엔코더를 사용하여, 무오류 상태, 한 개의 오류가 있을 경우, 오류 상태 및 오류비트가 존재하는 블록의 위치, 두개의 블록에 오류가 있을 경우 오류 상태 등 총 n + 2개의 상태를 나타낼 수 있다. 제안된 방법을 통하여, 두개 이상의 블록에 오류가 있을 경우, 오류 비트의 위치와 수를 파악하는 방법으로 용이하게 확장 구현가능하다. 8블록으로 구성된 64MEG DRAM 경우의 성능 비교 결과 단지 0.115%의 칩 면적 증가로, 테스트 및 redundancy 프로그래밍 시간이 1/750로 감소하였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 테스트 아키텍처

Ⅲ. MTFL 회로설계

Ⅳ. 시뮬레이션과 레이아웃

Ⅴ. 테스트 시간 성능향상 분석

Ⅵ. 결론

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