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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.9
- 수록면
- 8 - 13 (6page)
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Shallow trench isolation (STI)을 사용한 nMOSFET의 채널 너비에 따른 hot-carrier 열화 현상을 분석하였다. 채널 너비가 감소함에 따라 hot-carrier 열화가 증가하며 이는 STI 부근의 게이트 산화막 두께가 채널 중간 부분의 산화막 두께에 비하여 크기 때문에 발생하는 현상임을 실험을 통하여 확인하였다. Drain avalanche hot-carrier (DAHC) 및 channel hot-electron (CHE) stress 조건에 의한 interface state 형성을 charge pumping 방법을 통하여 비교하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 측정결과 및 토론
Ⅳ. 결론
참고문헌
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