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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제6호
발행연도
2003.6
수록면
43 - 52 (10page)

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본 논문에서는 MCU에 내장된 EPROM의 저 전압 동작을 위한 새로운 회로구조를 제안하였다. MCU에 내장된 EPROM은 일반적으로 마스크 롬에 비해 저 전압 특성이 떨어지며, 배터리를 사용하여 전원전압이 시간이 경과할수록 감소하는 응용분야에서는 마스크 롬을 내장한 MCU와 대체가 되지 않는 문제가 발생한다. 본 논문에서는 EPROM의 저 전압 동작을 위해 전원전압이 특정전압이하로 낮아지면 이를 검출하여 EPROM의 워드라인의 전압을 승압시키는 회로와 기준 셀을 사용하지 않고 전류를 감지하는 센스앰프을 제안하여 저 전압 특성이 30%이상 개선된 1.5V에서 동작하는 EPROM 내장 MCU를 설계, 구현, 검증하였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 저 전압 동작 주요 회로설계

Ⅲ. 시뮬레이션 및 측정결과

Ⅳ 결론

참고문헌

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