비휘발성 메모리소자의 응용의 관점에서 PLZT(10/y/z) 박막에서의 Zr/Ti 농도변화 효과 ( Effect of Zr/Ti Concentration in the PLZT(10/y/z) Thin Films From the Aspect of NVFRAM Application )

김성진; 강성준; 윤영섭

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김성진 강성준 윤영섭

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제38권 제5호

발행연도: 2001.5

수록면: 1 - 10 (10page)

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