EFFECTS OF ${BF_2}^+$-IMPLANTATION ON THE STRAIN-RELAXATION AND CURRENT LEAKAGE IN N-TYPE $Ge_{0.06}Si_{0.94}$ LAYERS ON Si(100)

Oh ,  M.S. ,  Joo 외 9명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Boron Diffusion Behavior and Strain Relaxation in In Situ Boron-Dorped Si0.8 Ge0.2 Films During Rapid Thermal Annealing

윤선진 ,  이경호 ,  이승창 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Si0.8Ge0.2계 합금에서 열전특성에 미치는 B의 영향

황성두 ,  최우석 ,  박익민 외 1명

한국분말야금학회지

2007 .01

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Formation and Properties of Mg-Cu-(Si, Ge) Amorphous Alloys

Kim ,  Sung-Gyoo ,  Pa 외 2명

한국주조공학회지 (주조)

1997 .01

산화막 형성과 열처리를 이용한 $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ 박막의 격자 이완

김현우 ,  홍석원 ,  배덕규 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2004 .01

SOLID STATE TEACTIONS IN THE $Co/Si_{1-X}Ge_X$ SYSTEM

Lin ,  Wen-Tai ,  Chen 외 3명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

A Study on Metastable Pitting of Alloy 690 in Chloride Solutions at 90℃

HyukSangKwon ,  ZhiJunBai

Corrosion Science and Technology

2002 .01

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

0.35㎛ T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.35μm T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구 ( Fabrication and Characterization of 0.35μm T-shaped Power Pseudomorphic HEMTs )

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )

최병용 ,  성석강 ,  이용덕 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .02

0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

$Al_{71.6}Ge_{28.4}$ 공정합금의 미세구조 및 기계적 성질의 평가

박진만 ,  육완 ,  김도향

한국주조공학회지 (주조)

2007 .01

MBE 방법으로 성장시킨 Si0.94Ge0.06 / Si Epilayer의 열처리시 열적안정성과 Relaxation Mechanism에 관한 연구

김흥습 ,  황윤택 ,  우상정 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

High Strength Nanostructured Metastable Alloys

Bi ,  git Ba ,  tusch 외 7명

한국분말야금학회지

2002 .01