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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 이명진
- 발행연도
- 2023
- 저작권
- 전남대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수24
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존의 Buried Channel Array Transistor (BCAT) 구조의 Storage Node(SN) 영역의 하부에 절연체를 고립시켜, 고집적 및 고신뢰성에 적합한 구조를 개발하여 전기적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 이 소자의 가장 큰 장점은 삽입된 절연체로 인해 발생한 potential modulation 현상에 의해 Drain Induced Barrier Lowering(DIBL)과 Gate-Induced Drain Leakage(GIDL)가 개선된다는 것이다.
TCAD 3차원 소자 시뮬레이터를 이용하여 STI 두께 감소를 고려한 sub-18nm BCAT에 대해 특성을 분석한다. 그 결과 절연체 삽입 구조는 Passing gate의 동작에 따라 변화하는 트랜지스터의 전기적인 특성을 안정화한다는 것을 확인하였다. 또한, 반도체 소자의 retention time과 밀접한 누설전류와 관련하여 Pi 구조는 누설전류가 개선되어 있음을 확인한다. 본 연구에서 제안하는 소자구조 및 분석 방법은 차세대 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성 향상을 위한 새로운 연구 방향의 바탕이 될 것이다.
TCAD 3차원 소자 시뮬레이터를 이용하여 STI 두께 감소를 고려한 sub-18nm BCAT에 대해 특성을 분석한다. 그 결과 절연체 삽입 구조는 Passing gate의 동작에 따라 변화하는 트랜지스터의 전기적인 특성을 안정화한다는 것을 확인하였다. 또한, 반도체 소자의 retention time과 밀접한 누설전류와 관련하여 Pi 구조는 누설전류가 개선되어 있음을 확인한다. 본 연구에서 제안하는 소자구조 및 분석 방법은 차세대 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성 향상을 위한 새로운 연구 방향의 바탕이 될 것이다.
목차
국문 초록 1제1장 서 론 2제2장 MOSFET의 동작 신뢰성 41.MOSFET의 동작 원리와 DRAM 42. DRAM의 누설전류 53.숏채널 효과(Short Channel Effect) 64. 패싱게이트 효과( Passing gate effect) 8제3장 BCAT과 Pi-BCAT 소자의 동작 특성 101. DRAM 동작 파라미터 102. Pi-BCAT( Partial isolation type BCAT) 103. 패싱 게이트 동작에 의한 문턱 전압 감소 17제4장 BCAT과 Pi-BCAT 소자의 Off state 특성 171. 패싱 게이트 동작에 의한 누설전류 변동 182. 패싱게이트에 의한 전기장 변화 21제5장 결 론 20영문 초록 21
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