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이용수11
2022
ABSTRACT제1장 서 론 1제2장 이론적 고찰 11제1절 센서 기술 11제2절 반도체 (Semiconductor) 11제3절 반도체 소자 131. 다이오드 (Diode) 132. 트랜지스터 (Transistor) 15가. BJT (Bipolar Junction Transistor) 15나. FET (Field Effect Transistor) 16다. TFT (Thin Film Transistor) 19제4절 2차원 물질 (2D material) 반도체 소재 201. 흑린 202. TMDs (Transition Metal Dichalcogenide) 213. 육방정계 질화붕소 224. 그래핀 (Graphene) 235. MoS2 (Molybdenum disulfide) 24제3장 실험 방법 및 결과 25제1절 MoS2 박막 성장 251. 화학적 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 252. 수열 합성법 (Hydrothermal) 283. 화학적 기상 증착법과 수열 합성법으로 성장 된 MoS2 특성 비교 30제2절 MoS2 호흡 센서 제작 321. 화학적 기상 증착법을 통해 성장 된 MoS2 박막을 이용한 호흡 센서 제작 322. 수열 합성법을 통해 성장 된 MoS2를 이용한 호흡 센서 제작 35제3절 Strain에 따른 호흡 센서의 전기적 특성 361. 화학적 기상 증착법을 통해 성장 된 MoS2 박막을 이용한 호흡 센서 특성 분석 362. 수열 합성법을 통해 성장 된 MoS2를 이용한 호흡 센서 특성 분석 47제4절 열처리 후 전기적 특성 변화 49제5절 MoS2 센서를 이용한 폐암 측정을 위한 쥐 호흡 실험 54제 4장 결 론 59[참고문헌] 60
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