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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김종수
- 발행연도
- 2023
- 저작권
- 대진대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수5
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오늘날 더 많은 전력변환기의 더 높은 효율 및 전력밀도를 달성하기 위해 WBG기반의 스위치인 GaN HEMT를 활용 및 연구 되어지고 있다.
그러나 스위치의 고속 스위칭 특성은 단락 보호(SCP) 및 과전류 보호(OCP) 상황에서 문제를 야기하게 되는데 GaN HEMT의 경우 단락시 단락 내구성이 기존 Si 소자의 비해 훨씬 낮은 수준의 단락 내구 시간을 가지기 때문에 실질적인 보호에 어려움이 존재한다.
따라서 본 논문에서는 단락 발생시 GaN HEMT 단락 특성을 분석하고 이에 적합한 GaN HEMT의 단락 보호 방법을 제안한다. 사용된 방법은 위상레그 전압을 기반으로 드레인-소스 전압을 감지하여 회로의 단락을 확인하고 비교기 회로를 통해 장치를 신속하게 보호하는 것이다. 단락 보호에 걸리는 시간은 200ns 이내로 이는 단락 내구시간이 1[] 이내로 짧은 단락 내구시간을 갖는 GaN HEMT의 효과적인 보호가 가능할 것으로 보인다.
그러나 스위치의 고속 스위칭 특성은 단락 보호(SCP) 및 과전류 보호(OCP) 상황에서 문제를 야기하게 되는데 GaN HEMT의 경우 단락시 단락 내구성이 기존 Si 소자의 비해 훨씬 낮은 수준의 단락 내구 시간을 가지기 때문에 실질적인 보호에 어려움이 존재한다.
따라서 본 논문에서는 단락 발생시 GaN HEMT 단락 특성을 분석하고 이에 적합한 GaN HEMT의 단락 보호 방법을 제안한다. 사용된 방법은 위상레그 전압을 기반으로 드레인-소스 전압을 감지하여 회로의 단락을 확인하고 비교기 회로를 통해 장치를 신속하게 보호하는 것이다. 단락 보호에 걸리는 시간은 200ns 이내로 이는 단락 내구시간이 1[] 이내로 짧은 단락 내구시간을 갖는 GaN HEMT의 효과적인 보호가 가능할 것으로 보인다.
목차
Ⅰ. 서론 1Ⅱ. GaN HEMT 특성 72-1 GaN HEMT 물성적 특징 72-2 스위치 단락의 종류 142-3 GaN HEMT 단락 내구성 18Ⅲ. 단락 보호 회로 253-1 기존 단락 감지 및 보호회로 253-2 GaN HEMT의 적합한 단락 보호 방법 29Ⅳ. 시뮬레이션 및 실험결과 334-1 단락 검출 회로 시뮬레이션 32Ⅴ. 결론 36참고문헌 37Abstract 39
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